Número do Produto do Fabricante:
BSB017N03LX3 G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSB017N03LX3 G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 147A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventário:
12799180
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BSB017N03LX3 G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
32A (Ta), 147A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7800 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacote / Estojo
3-WDSON
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSB017N03LX3 GDKR-DG
BSB017N03LX3GTR
BSB017N03LX3GXT
BSB017N03LX3 GCT
BSB017N03LX3 GTR-DG
BSB017N03LX3 GDKR
BSB017N03LX3GCT
BSB017N03LX3 GCT-DG
BSB017N03LX3GDKR
BSB017N03LX3G
BSB017N03LX3 G-DG
SP000604468
BSB017N03LX3GXUMA1
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BSB013NE2LXIXUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
BSB013NE2LXIXUMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.85
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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